MPS2369AG

MPS2369, MPS2369A, MPS2369AG, MPS2369ARLRP, MPS2369ARLRPG, MPS2369G, MPS2369RLRA, MPS2369RLRAG

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрMPS2369AMPS2369AGMPS2369ARLRPMPS2369ARLRPGMPS2369GMPS2369RLRAMPS2369RLRAG
Корпус мікросхеми
Корпус
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Виробник
Виробник
ON Semiconductor
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Крізь отвір
Постійний струм колектора транзистора
IC
<200 мА
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера
UCEO
<15 В
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора
PC
<625 мВт
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора
hFE
>30Ic, Vce = 30mA, 400mV>30Ic, Vce = 30mA, 400mV>30Ic, Vce = 30mA, 400mV>30Ic, Vce = 30mA, 400mV>20Ic, Vce = 10mA, 1V>20Ic, Vce = 10mA, 1V>20Ic, Vce = 10mA, 1V
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора
UCE-sat
<200 мВIb, Ic = 1mA, 10mA<200 мВIb, Ic = 1mA, 10mA<200 мВIb, Ic = 1mA, 10mA<200 мВIb, Ic = 1mA, 10mA<250 мВIb, Ic = 1mA, 10mA<250 мВIb, Ic = 1mA, 10mA<250 мВIb, Ic = 1mA, 10mA
Структура біполярного транзистора
Структура
NPN
Струм відсічення колектора
Ifrc
<4 мкА