MPS2222AG

MPS2222, MPS2222AG, MPS2222ARL, MPS2222ARLG, MPS2222ARLRA, MPS2222ARLRAG, MPS2222ARLRM, MPS2222ARLRMG, MPS2222ARLRP, MPS2222ARLRPG, MPS2222AZL1, MPS2222AZL1G, MPS2222G, MPS2222RLRA, MPS2222RLRAG, MPS2222RLRM, MPS2222RLRMG, MPS2222RLRPG

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрMPS2222AGMPS2222ARLMPS2222ARLGMPS2222ARLRAMPS2222ARLRAGMPS2222ARLRMMPS2222ARLRMGMPS2222ARLRPMPS2222ARLRPGMPS2222AZL1MPS2222AZL1GMPS2222GMPS2222RLRAMPS2222RLRAGMPS2222RLRMMPS2222RLRMGMPS2222RLRPG
Корпус мікросхеми
Корпус
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Виробник
Виробник
ON Semiconductor
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Крізь отвір
Постійний струм колектора транзистора
IC
<600 мА
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера
UCEO
<40 В<40 В<40 В<40 В<40 В<40 В<40 В<40 В<40 В<40 В<40 В<30 В<30 В<30 В<30 В<30 В<30 В
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора
PC
<1.5 Вт
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора
hFE
>35Ic, Vce = 100µA, 10mV>35Ic, Vce = 100µA, 10mV>100Ic, Vce = 150mA, 10V>35Ic, Vce = 100µA, 10mV>35Ic, Vce = 100µA, 10mV>35Ic, Vce = 100µA, 10mV>35Ic, Vce = 100µA, 10mV>35Ic, Vce = 100µA, 10mV>35Ic, Vce = 100µA, 10mV>35Ic, Vce = 100µA, 10mV>35Ic, Vce = 100µA, 10mV>35Ic, Vce = 100µA, 10mV>35Ic, Vce = 100µA, 10mV>35Ic, Vce = 100µA, 10mV>35Ic, Vce = 100µA, 10mV>35Ic, Vce = 100µA, 10mV>35Ic, Vce = 100µA, 10mV
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора
UCE-sat
<300 мВIb, Ic = 15mA, 150mA<300 мВIb, Ic = 15mA, 150mA<300 мВIb, Ic = 15mA, 150mA<300 мВIb, Ic = 15mA, 150mA<300 мВIb, Ic = 15mA, 150mA<300 мВIb, Ic = 15mA, 150mA<300 мВIb, Ic = 15mA, 150mA<300 мВIb, Ic = 15mA, 150mA<300 мВIb, Ic = 15mA, 150mA<300 мВIb, Ic = 15mA, 150mA<300 мВIb, Ic = 15mA, 150mA<400 мВIb, Ic = 15mA, 150mA<400 мВIb, Ic = 15mA, 150mA<400 мВIb, Ic = 15mA, 150mA<400 мВIb, Ic = 15mA, 150mA<400 мВIb, Ic = 15mA, 150mA<400 мВIb, Ic = 15mA, 150mA
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора
fh21
<300 МГц<300 МГц<300 МГц<300 МГц<300 МГц<300 МГц<300 МГц<300 МГц<300 МГц<300 МГц<300 МГц<250 МГц<250 МГц<250 МГц<250 МГц<250 МГц<250 МГц
Структура біполярного транзистора
Структура
NPN