MMST5551-7-F

MMST5551, MMST5551-7, MMST5551-7-F, MMST5551-TP

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрMMST5551-7MMST5551-7-FMMST5551-TP
Корпус мікросхеми
Корпус
SC-70-3, SOT-323-3SC-70-3, SOT-323-3SOT-323
Виробник
Виробник
Diodes IncDiodes IncMicro Commercial Co
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Поверхневий
Постійний струм колектора транзистора
IC
<200 мА
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера
UCEO
<160 В
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора
PC
<200 мВт
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора
hFE
>80Ic, Vce = 10mA, 5V
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора
UCE-sat
<200 мВIb, Ic = 5mA, 50mA<200 мВIb, Ic = 5mA, 50mA<150 мВIb, Ic = 1mA, 10mA
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора
fh21
<300 МГц
Структура біполярного транзистора
Структура
NPN
Струм відсічення колектора
Ifrc
(не задано)(не задано)<50 нА