MMJT9410

MMJT9410, MMJT9410T1, MMJT9410T1G

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрMMJT9410T1MMJT9410T1G
Корпус мікросхеми
Корпус
SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA
Виробник
Виробник
ON Semiconductor
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Поверхневий
Постійний струм колектора транзистора
IC
<3 А
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера
UCEO
<30 В
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора
PC
<3 Вт
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора
hFE
>85Ic, Vce = 800mA, 1V
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора
UCE-sat
<150 мВIb, Ic = 20mA, 800mA
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора
fh21
<72 МГц
Структура біполярного транзистора
Структура
NPN