На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | MMBTA92,215 | MMBTA92-7 | MMBTA92-7-F | MMBTA92_D87Z | MMBTA92LT1 | MMBTA92LT1G | MMBTA92LT3 | MMBTA92LT3G | MMBTA92-TP | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-23 |
Виробник | Виробник | NXP Semiconductors | Diodes Inc | Diodes Inc | Fairchild Semiconductor | ON Semiconductor | ON Semiconductor | ON Semiconductor | ON Semiconductor | Micro Commercial Co |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | ||||||||
Постійний струм колектора транзистора | IC | <100 мА | <500 мА | <500 мА | <500 мА | <500 мА | <50 мА | <500 мА | <500 мА | <300 мА |
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера | UCEO | <300 В | ||||||||
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора | PC | <250 мВт | <300 мВт | <300 мВт | <350 мВт | <225 мВт | <225 мВт | <225 мВт | <225 мВт | <300 мВт |
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора | hFE | >25Ic, Vce = 1mA, 10V | >25Ic, Vce = 1mA, 10V | >25Ic, Vce = 1mA, 10V | >25Ic, Vce = 1mA, 10V | >25Ic, Vce = 1mA, 10V | >25Ic, Vce = 1mA, 10V | >25Ic, Vce = 1mA, 10V | >25Ic, Vce = 1mA, 10V | >100Ic, Vce = 10mA, 10V |
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора | UCE-sat | <500 мВIb, Ic = 2mA, 20mA | ||||||||
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора | fh21 | <50 МГц | ||||||||
Структура біполярного транзистора | Структура | PNP | ||||||||
Струм відсічення колектора | Ifrc | (не задано) | (не задано) | (не задано) | (не задано) | <250 нА | <250 нА | <250 нА | <250 нА | (не задано) |