На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | MMBTA63-7 | MMBTA63-7-F | MMBTA63LT1 | MMBTA63LT1G | |
|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | |||
Виробник | Виробник | Diodes Inc | Diodes Inc | ON Semiconductor | ON Semiconductor |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | |||
Постійний струм колектора транзистора | IC | <500 мА | |||
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера | UCEO | <30 В | |||
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора | PC | <300 мВт | <300 мВт | <225 мВт | <225 мВт |
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора | hFE | >5000Ic, Vce = 10mA, 5V | >5000Ic, Vce = 10mA, 5V | >5Ic, Vce = 10mA, 5V | >5000Ic, Vce = 10mA, 5V |
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора | UCE-sat | <1.5 ВIb, Ic = 100µA, 100mA | |||
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора | fh21 | <125 МГц | |||
Структура біполярного транзистора | Структура | PNP Darlington | |||