MMBTA56_D87Z

MMBTA56, MMBTA56-7, MMBTA56-7-F, MMBTA56_D87Z, MMBTA56LT1, MMBTA56LT1G, MMBTA56LT3, MMBTA56LT3G, MMBTA56-TP, MMBTA56WT1, MMBTA56WT1G

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрMMBTA56-7MMBTA56-7-FMMBTA56_D87ZMMBTA56LT1MMBTA56LT1GMMBTA56LT3MMBTA56LT3GMMBTA56-TPMMBTA56WT1MMBTA56WT1G
Корпус мікросхеми
Корпус
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-23SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SC-70-3, SOT-323-3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SC-70-3, SOT-323-3
Виробник
Виробник
Diodes IncDiodes IncFairchild SemiconductorON SemiconductorON SemiconductorON SemiconductorON SemiconductorMicro Commercial CoON SemiconductorON Semiconductor
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Поверхневий
Постійний струм колектора транзистора
IC
<500 мА
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера
UCEO
<80 В
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора
PC
<300 мВт<300 мВт<350 мВт<225 мВт<225 мВт<225 мВт<225 мВт<225 мВт<150 мВт<150 мВт
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора
hFE
>100Ic, Vce = 10mA, 1V
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора
UCE-sat
<250 мВIb, Ic = 10mA, 100mA<250 мВIb, Ic = 10mA, 100mA<200 мВIb, Ic = 10mA, 100mA<250 мВIb, Ic = 10mA, 100mA<250 мВIb, Ic = 10mA, 100mA<250 мВIb, Ic = 10mA, 100mA<250 мВIb, Ic = 10mA, 100mA<250 мВIb, Ic = 10mA, 100mA<250 мВIb, Ic = 10mA, 100mA<250 мВIb, Ic = 10mA, 100mA
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора
fh21
<50 МГц
Структура біполярного транзистора
Структура
PNP
Струм відсічення колектора
Ifrc
<100 нА