MMBTA55-7

MMBTA55, MMBTA55-7, MMBTA55-7-F, MMBTA55LT1, MMBTA55LT1G, MMBTA55LT3, MMBTA55-TP

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрMMBTA55-7MMBTA55-7-FMMBTA55LT1MMBTA55LT1GMMBTA55LT3MMBTA55-TP
Корпус мікросхеми
Корпус
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-23
Виробник
Виробник
Diodes IncDiodes IncON SemiconductorON SemiconductorON SemiconductorMicro Commercial Co
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Поверхневий
Постійний струм колектора транзистора
IC
<500 мА
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера
UCEO
<60 В
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора
PC
<300 мВт<300 мВт<225 мВт<225 мВт<225 мВт<225 мВт
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора
hFE
>100Ic, Vce = 10mA, 1V
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора
UCE-sat
<250 мВIb, Ic = 10mA, 100mA
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора
fh21
<50 МГц
Структура біполярного транзистора
Структура
PNP
Струм відсічення колектора
Ifrc
<100 нА