MMBTA42

MMBTA42, MMBTA42,215, MMBTA42-7, MMBTA42-7-F, MMBTA42_D87Z, MMBTA42LT1, MMBTA42LT1G, MMBTA42LT3, MMBTA42LT3G, MMBTA42-TP

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрMMBTA42,215MMBTA42-7MMBTA42-7-FMMBTA42_D87ZMMBTA42LT1MMBTA42LT1GMMBTA42LT3MMBTA42LT3GMMBTA42-TP
Корпус мікросхеми
Корпус
SOT-23-3, SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, SOT-23SOT-23-3, SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, SOT-23
Виробник
Виробник
NXP SemiconductorsDiodes IncDiodes IncFairchild SemiconductorInfineon TechnologiesON SemiconductorON SemiconductorON SemiconductorMicro Commercial Co
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Поверхневий
Постійний струм колектора транзистора
IC
<100 мА<500 мА<500 мА<500 мА<500 мА<50 мА<50 мА<50 мА<500 мА
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера
UCEO
<300 В
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора
PC
<250 мВт<300 мВт<300 мВт<240 мВт<360 мВт<225 мВт<225 мВт<225 мВт<300 мВт
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора
hFE
>25Ic, Vce = 1mA, 10V
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора
UCE-sat
<500 мВIb, Ic = 2mA, 20mA
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора
fh21
<50 МГц<50 МГц<50 МГц<50 МГц<70 МГц<50 МГц<50 МГц<50 МГц<50 МГц
Структура біполярного транзистора
Структура
NPN