MMBTA14-7

MMBTA14, MMBTA14-7, MMBTA14-7-F, MMBTA14_D87Z, MMBTA14LT1, MMBTA14LT1G, MMBTA14-TP

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрMMBTA14-7MMBTA14-7-FMMBTA14_D87ZMMBTA14LT1MMBTA14LT1GMMBTA14-TP
Корпус мікросхеми
Корпус
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-23SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-23
Виробник
Виробник
Diodes IncDiodes IncFairchild SemiconductorInfineon TechnologiesON SemiconductorMicro Commercial Co
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Поверхневий
Постійний струм колектора транзистора
IC
<300 мА<300 мА<1.2 А<300 мА<300 мА<300 мА
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера
UCEO
<30 В
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора
PC
<300 мВт<300 мВт<350 мВт<330 мВт<225 мВт<225 мВт
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора
hFE
>10000Ic, Vce = 10mA, 5V
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора
UCE-sat
<1.5 ВIb, Ic = 100µA, 100mA
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора
fh21
<125 МГц
Структура біполярного транзистора
Структура
NPN Darlington