MMBTA13-7

MMBTA13, MMBTA13-7, MMBTA13-7-F, MMBTA13_D87Z, MMBTA13LT1, MMBTA13LT1G, MMBTA13LT3G, MMBTA13-TP

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрMMBTA13-7MMBTA13-7-FMMBTA13_D87ZMMBTA13LT1MMBTA13LT1GMMBTA13LT3GMMBTA13-TP
Корпус мікросхеми
Корпус
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-23
Виробник
Виробник
Diodes IncDiodes IncFairchild SemiconductorON SemiconductorON SemiconductorON SemiconductorMicro Commercial Co
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Поверхневий
Постійний струм колектора транзистора
IC
<300 мА<300 мА<1.2 А<300 мА<300 мА<300 мА<300 мА
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера
UCEO
<30 В
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора
PC
<300 мВт<300 мВт<350 мВт<225 мВт<225 мВт<225 мВт<225 мВт
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора
hFE
>5000Ic, Vce = 10mA, 5V>5000Ic, Vce = 10mA, 5V>5000Ic, Vce = 10mA, 5V>5Ic, Vce = 10mA, 5V>5000Ic, Vce = 10mA, 5V>5Ic, Vce = 10mA, 5V>5Ic, Vce = 10mA, 5V
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора
UCE-sat
<1.5 ВIb, Ic = 100µA, 100mA
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора
fh21
<125 МГц
Структура біполярного транзистора
Структура
NPN Darlington