На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | MMBTA06-7 | MMBTA06-7-F | MMBTA06_D87Z | MMBTA06_L98Z | MMBTA06LT1 | MMBTA06LT1G | MMBTA06LT3 | MMBTA06LT3G | MMBTA06-TP | MMBTA06WT1 | MMBTA06WT1G | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-23 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-23 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SC-70-3, SOT-323-3 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SC-70-3, SOT-323-3 |
Виробник | Виробник | Diodes Inc | Diodes Inc | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | Infineon Technologies | ON Semiconductor | ON Semiconductor | ON Semiconductor | Micro Commercial Co | ON Semiconductor | ON Semiconductor |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | ||||||||||
Постійний струм колектора транзистора | IC | <500 мА | ||||||||||
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера | UCEO | <80 В | ||||||||||
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора | PC | <300 мВт | <300 мВт | <350 мВт | <350 мВт | <330 мВт | <225 мВт | <225 мВт | <300 мВт | <300 мВт | <150 мВт | <150 мВт |
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора | hFE | >100Ic, Vce = 10mA, 1V | ||||||||||
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора | UCE-sat | <250 мВIb, Ic = 10mA, 100mA | ||||||||||
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора | fh21 | <100 МГц | ||||||||||
Структура біполярного транзистора | Структура | NPN | ||||||||||
Струм відсічення колектора | Ifrc | <100 нА | ||||||||||