MMBTA05-7-F

MMBTA05, MMBTA05-7, MMBTA05-7-F, MMBTA05LT1, MMBTA05LT1G, MMBTA05LT3, MMBTA05LT3G, MMBTA05-TP

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрMMBTA05-7MMBTA05-7-FMMBTA05LT1MMBTA05LT1GMMBTA05LT3MMBTA05LT3GMMBTA05-TP
Корпус мікросхеми
Корпус
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-23
Виробник
Виробник
Diodes IncDiodes IncON SemiconductorON SemiconductorON SemiconductorON SemiconductorMicro Commercial Co
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Поверхневий
Постійний струм колектора транзистора
IC
<500 мА
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера
UCEO
<60 В
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора
PC
<300 мВт<300 мВт<225 мВт<225 мВт<225 мВт<225 мВт<300 мВт
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора
hFE
>100Ic, Vce = 10mA, 1V
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора
UCE-sat
<250 мВIb, Ic = 10mA, 100mA
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора
fh21
<100 МГц
Структура біполярного транзистора
Структура
NPN
Струм відсічення колектора
Ifrc
<100 нА