На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | MMBT8099LT1 | MMBT8099LT1G | |
|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | |
Виробник | Виробник | ON Semiconductor | |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | |
Постійний струм колектора транзистора | IC | <500 мА | |
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера | UCEO | <80 В | |
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора | PC | <225 мВт | |
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора | hFE | >100Ic, Vce = 1mA, 5V | |
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора | UCE-sat | <400 мВIb, Ic = 5mA, 100mA | |
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора | fh21 | <150 МГц | |
Структура біполярного транзистора | Структура | NPN | |
Струм відсічення колектора | Ifrc | <100 нА | |