На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | MMBT6427-7 | MMBT6427-7-F | MMBT6427LT1 | MMBT6427LT1G | MMBT6427LT3 | MMBT6427LT3G | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | |||||
Виробник | Виробник | Diodes Inc | Diodes Inc | ON Semiconductor | ON Semiconductor | ON Semiconductor | ON Semiconductor |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | |||||
Постійний струм колектора транзистора | IC | <500 мА | |||||
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера | UCEO | <40 В | |||||
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора | PC | <300 мВт | <300 мВт | <225 мВт | <225 мВт | <225 мВт | <225 мВт |
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора | hFE | >10000Ic, Vce = 10mA, 5V | |||||
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора | UCE-sat | <1.5 ВIb, Ic = 500µA, 500mA | <1.5 ВIb, Ic = 500µA, 500mA | <1.2 ВIb, Ic = 500µA, 50mA | <1.2 ВIb, Ic = 500µA, 50mA | <1.2 ВIb, Ic = 500µA, 50mA | <1.2 ВIb, Ic = 500µA, 50mA |
Структура біполярного транзистора | Структура | NPN Darlington | |||||
Струм відсічення колектора | Ifrc | <1 мкА | |||||