MMBT5401

MMBT5401, MMBT5401-7, MMBT5401-7-F, MMBT5401_D87Z, MMBT5401LT1, MMBT5401LT1G, MMBT5401LT3, MMBT5401LT3G, MMBT5401-TP

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрMMBT5401-7MMBT5401-7-FMMBT5401_D87ZMMBT5401LT1MMBT5401LT1GMMBT5401LT3MMBT5401LT3GMMBT5401-TP
Корпус мікросхеми
Корпус
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-23
Виробник
Виробник
Diodes IncDiodes IncFairchild SemiconductorON SemiconductorON SemiconductorON SemiconductorON SemiconductorMicro Commercial Co
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Поверхневий
Постійний струм колектора транзистора
IC
<600 мА<600 мА<600 мА<500 мА<500 мА<500 мА<500 мА<600 мА
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера
UCEO
<150 В
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора
PC
<300 мВт<300 мВт<350 мВт<225 мВт<225 мВт<225 мВт<225 мВт<300 мВт
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора
hFE
>60Ic, Vce = 10mA, 5V>60Ic, Vce = 10mA, 5V>60Ic, Vce = 10mA, 5V>60Ic, Vce = 10mA, 5V>60Ic, Vce = 10mA, 5V>60Ic, Vce = 10mA, 5V>60Ic, Vce = 10mA, 5V>100Ic, Vce = 10mA, 5V
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора
UCE-sat
<500 мВIb, Ic = 5mA, 50mA<500 мВIb, Ic = 5mA, 50mA<500 мВIb, Ic = 5mA, 50mA<200 мВIb, Ic = 1mA, 10mA<200 мВIb, Ic = 1mA, 10mA<200 мВIb, Ic = 1mA, 10mA<200 мВIb, Ic = 1mA, 10mA<500 мВIb, Ic = 5mA, 50mA
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора
fh21
<300 МГц<300 МГц<300 МГц<300 МГц<300 МГц<300 МГц<300 МГц<100 МГц
Структура біполярного транзистора
Структура
PNP
Струм відсічення колектора
Ifrc
(не задано)(не задано)(не задано)<50 нА<50 нА<50 нА<50 нА(не задано)