MMBT4401-7

MMBT4401, MMBT4401-7, MMBT4401-7-F, MMBT4401_D87Z, MMBT4401K, MMBT4401LT1, MMBT4401LT1G, MMBT4401LT3G, MMBT4401M3T5G, MMBT4401T-7, MMBT4401T-7-F, MMBT4401-TP, MMBT4401WT1, MMBT4401WT1G

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрMMBT4401-7MMBT4401-7-FMMBT4401_D87ZMMBT4401KMMBT4401LT1MMBT4401LT1GMMBT4401LT3GMMBT4401M3T5GMMBT4401T-7MMBT4401T-7-FMMBT4401-TPMMBT4401WT1MMBT4401WT1G
Корпус мікросхеми
Корпус
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-723SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-523SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-523SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-23SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SC-70-3, SOT-323-3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SC-70-3, SOT-323-3
Виробник
Виробник
Diodes IncDiodes IncFairchild SemiconductorFairchild SemiconductorON SemiconductorON SemiconductorON SemiconductorON SemiconductorDiodes IncDiodes IncMicro Commercial CoON SemiconductorON Semiconductor
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Поверхневий
Постійний струм колектора транзистора
IC
<600 мА
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера
UCEO
<40 В
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора
PC
<300 мВт<300 мВт<350 мВт<350 мВт<225 мВт<225 мВт<225 мВт<640 мВт<150 мВт<150 мВт<350 мВт<150 мВт<150 мВт
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора
hFE
>100Ic, Vce = 150mA, 1V
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора
UCE-sat
<750 мВIb, Ic = 50mA, 500mA<750 мВIb, Ic = 50mA, 500mA<750 мВIb, Ic = 50mA, 500mA<750 мВIb, Ic = 50mA, 500mA<400 мВIb, Ic = 15mA, 150mA<400 мВIb, Ic = 15mA, 150mA<400 мВIb, Ic = 15mA, 150mA<750 мВIb, Ic = 50mA, 500mA<750 мВIb, Ic = 50mA, 500mA<750 мВIb, Ic = 50mA, 500mA<400 мВIb, Ic = 15mA, 150mA<400 мВIb, Ic = 15mA, 150mA<400 мВIb, Ic = 15mA, 150mA
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора
fh21
<250 МГц
Структура біполярного транзистора
Структура
NPN
Струм відсічення колектора
Ifrc
(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)<100 нА(не задано)(не задано)