На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | MMBT4126-7 | MMBT4126-7-F | MMBT4126LT1 | MMBT4126LT1G | MMBT4126LT3G | |
|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | ||||
Виробник | Виробник | Diodes Inc | Diodes Inc | ON Semiconductor | ON Semiconductor | ON Semiconductor |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | ||||
Постійний струм колектора транзистора | IC | <200 мА | ||||
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера | UCEO | <25 В | ||||
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора | PC | <300 мВт | <300 мВт | <225 мВт | <300 мВт | <225 мВт |
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора | hFE | >120Ic, Vce = 2mA, 1V | ||||
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора | UCE-sat | <400 мВIb, Ic = 5mA, 50mA | ||||
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора | fh21 | <250 МГц | ||||
Структура біполярного транзистора | Структура | PNP | ||||