MMBT3906_D87Z

MMBT3906, MMBT3906,215, MMBT3906-7, MMBT3906-7-F, MMBT3906_D87Z, MMBT3906K, MMBT3906LT1, MMBT3906LT1G, MMBT3906LT3G, MMBT3906_NL, MMBT3906SL, MMBT3906T, MMBT3906T-7, MMBT3906T-7-F, MMBT3906-TP, MMBT3906TT1G, MMBT3906T-TP, MMBT3906WT1, MMBT3906WT1G

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

Параметр		MMBT3906,215	MMBT3906-7	MMBT3906-7-F	MMBT3906_D87Z	MMBT3906K	MMBT3906LT1	MMBT3906LT1G	MMBT3906LT3G	MMBT3906_NL	MMBT3906SL	MMBT3906T	MMBT3906T-7	MMBT3906T-7-F	MMBT3906-TP	MMBT3906TT1G	MMBT3906T-TP	MMBT3906WT1	MMBT3906WT1G
Корпус мікросхеми	Корпус	SOT-23-3, SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3	SOT-23-3, SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3	SOT-23-3, SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3	SOT-23-3, SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3	SOT-23-3, SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3	SOT-23-3, SOT-23	SOT-23-3, SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3	SOT-23-3, SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3	SOT-23-3, SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3	SOT-23-3, SOT-923F	SOT-23-3, SOT-523F	SOT-23-3, SOT-523	SOT-23-3, SOT-523	SOT-23-3, SOT-23	SOT-23-3, SC-75-3, SOT-416, EMT3, 3-SSMini	SOT-23-3, SOT-523	SOT-23-3, SC-70-3, SOT-323-3	SOT-23-3, SC-70-3, SOT-323-3
Виробник	Виробник	NXP Semiconductors	Diodes Inc	Diodes Inc	Fairchild Semiconductor	Fairchild Semiconductor	Infineon Technologies	ON Semiconductor	ON Semiconductor	Fairchild Semiconductor	Fairchild Semiconductor	Fairchild Semiconductor	Diodes Inc	Diodes Inc	Micro Commercial Co	ON Semiconductor	Micro Commercial Co	ON Semiconductor	ON Semiconductor
Тип монтажу компонента на плату чи в схему	Монтаж	Поверхневий
Постійний струм колектора транзистора	I_C	<200 мА	<200 мА	<200 мА	<200 мА	<200 мА	<200 мА	<200 мА	<200 мА	<200 мА	<200 мА	<200 мА	<200 мА	<200 мА	<100 мА	<200 мА	<200 мА	<200 мА	<200 мА
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера	U_CEO	<40 В
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора	P_C	<250 мВт	<300 мВт	<300 мВт	<350 мВт	<350 мВт	<250 мВт	<225 мВт	<225 мВт	<350 мВт	<227 мВт	<250 мВт	<150 мВт	<150 мВт	<350 мВт	<200 мВт	<150 мВт	<150 мВт	<150 мВт
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора	hFE	>100Ic, Vce = 10mA, 1V
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора	U_CE-sat	<250 мВIb, Ic = 1mA, 10mA	<400 мВIb, Ic = 5mA, 50mA	<400 мВIb, Ic = 5mA, 50mA	<400 мВIb, Ic = 5mA, 50mA	<400 мВIb, Ic = 5mA, 50mA	<400 мВIb, Ic = 5mA, 50mA	<250 мВIb, Ic = 1mA, 10mA	<250 мВIb, Ic = 1mA, 10mA	<400 мВIb, Ic = 5mA, 50mA	<400 мВIb, Ic = 5mA, 50mA	<400 мВIb, Ic = 5mA, 50mA	<400 мВIb, Ic = 5mA, 50mA	<400 мВIb, Ic = 5mA, 50mA	<250 мВIb, Ic = 1mA, 10mA	<250 мВIb, Ic = 1mA, 10mA	<250 мВIb, Ic = 1mA, 10mA	<250 мВIb, Ic = 1mA, 10mA	<250 мВIb, Ic = 1mA, 10mA
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора	f_h21	<250 МГц
Структура біполярного транзистора	Структура	PNP
Струм відсічення колектора	I_frc	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	<50 нА	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)