На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | MMBT3416LT3G | |
|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 |
Виробник | Виробник | ON Semiconductor |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий |
Постійний струм колектора транзистора | IC | <100 мА |
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера | UCEO | <40 В |
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора | PC | <225 мВт |
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора | hFE | >75Ic, Vce = 2mA, 4.5V |
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора | UCE-sat | <300 мВIb, Ic = 3mA, 50mA |
Структура біполярного транзистора | Структура | NPN |