На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | MMBT2369A | MMBT2369ALT1 | MMBT2369ALT1G | MMBT2369ALT3G | MMBT2369LT1 | MMBT2369LT1G | MMBT2369LT3G | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | ||||||
Виробник | Виробник | Fairchild Semiconductor | ON Semiconductor | ON Semiconductor | ON Semiconductor | ON Semiconductor | ON Semiconductor | ON Semiconductor |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | ||||||
Постійний струм колектора транзистора | IC | <200 мА | ||||||
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера | UCEO | <15 В | ||||||
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора | PC | <225 мВт | ||||||
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора | hFE | >40Ic, Vce = 10mA, 1V | >40Ic, Vce = 10mA, 350mV | >40Ic, Vce = 10mA, 350mV | >40Ic, Vce = 10mA, 350mV | >40Ic, Vce = 10mA, 350mV | >40Ic, Vce = 10mA, 350mV | >40Ic, Vce = 10mA, 350mV |
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора | UCE-sat | <500 мВIb, Ic = 10mA, 100mA | <200 мВIb, Ic = 1mA, 10mA | <200 мВIb, Ic = 1mA, 10mA | <200 мВIb, Ic = 1mA, 10mA | <250 мВIb, Ic = 1mA, 10mA | <250 мВIb, Ic = 1mA, 10mA | <250 мВIb, Ic = 1mA, 10mA |
Структура біполярного транзистора | Структура | NPN | ||||||