MMBT2222

MMBT2222, MMBT2222A, MMBT2222A,215, MMBT2222A-7, MMBT2222A-7-F, MMBT2222A_D87Z, MMBT2222AK, MMBT2222ALT1, MMBT2222ALT1G, MMBT2222ALT3G, MMBT2222AM3T5G, MMBT2222AT, MMBT2222AT-7, MMBT2222AT-7-F, MMBT2222A-TP, MMBT2222ATT1G, MMBT2222ATT3G, MMBT2222AT-TP, MMBT2222AWT1, MMBT2222AWT1G, MMBT2222LT1, MMBT2222LT1G, MMBT2222LT3, MMBT2222LT3G

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрMMBT2222AMMBT2222A,215MMBT2222A-7MMBT2222A-7-FMMBT2222A_D87ZMMBT2222AKMMBT2222ALT1MMBT2222ALT1GMMBT2222ALT3GMMBT2222AM3T5GMMBT2222ATMMBT2222AT-7MMBT2222AT-7-FMMBT2222A-TPMMBT2222ATT1GMMBT2222ATT3GMMBT2222AT-TPMMBT2222AWT1MMBT2222AWT1GMMBT2222LT1MMBT2222LT1GMMBT2222LT3MMBT2222LT3G
Корпус мікросхеми
Корпус
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-23-3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-523FSOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-723SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-523FSOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-523SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-523SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-23SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SC-75-3, SOT-416, EMT3, 3-SSMiniSOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SC-75-3, SOT-416, EMT3, 3-SSMiniSOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-523SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SC-70-3, SOT-323-3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SC-70-3, SOT-323-3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
Виробник
Виробник
STMicroelectronicsNXP SemiconductorsDiodes IncDiodes IncFairchild SemiconductorFairchild SemiconductorON SemiconductorON SemiconductorON SemiconductorON SemiconductorFairchild SemiconductorDiodes IncDiodes IncMicro Commercial CoON SemiconductorON SemiconductorMicro Commercial CoON SemiconductorON SemiconductorON SemiconductorON SemiconductorON SemiconductorON Semiconductor
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Поверхневий
Постійний струм колектора транзистора
IC
<600 мА<600 мА<600 мА<600 мА<1 А<600 мА<600 мА<600 мА<600 мА<600 мА<600 мА<600 мА<600 мА<600 мА<600 мА<600 мА<600 мА<600 мА<600 мА<600 мА<600 мА<600 мА<600 мА
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера
UCEO
<40 В<40 В<40 В<40 В<40 В<40 В<40 В<40 В<40 В<40 В<40 В<40 В<40 В<40 В<75 В<40 В<40 В<40 В<40 В<30 В<30 В<30 В<30 В
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора
PC
<350 мВт<250 мВт<300 мВт<300 мВт<350 мВт<350 мВт<225 мВт<225 мВт<300 мВт<640 мВт<250 мВт<150 мВт<150 мВт<350 мВт<150 мВт<150 мВт<150 мВт<150 мВт<150 мВт<225 мВт<225 мВт<225 мВт<225 мВт
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора
hFE
>100Ic, Vce = 150mA, 10V>75Ic, Vce = 10mA, 10V>100Ic, Vce = 150mA, 10V>100Ic, Vce = 150mA, 10V>100Ic, Vce = 150mA, 10V>100Ic, Vce = 150mA, 10V>100Ic, Vce = 150mA, 10V>100Ic, Vce = 150mA, 10V>100Ic, Vce = 150mA, 10V>100Ic, Vce = 150mA, 10V>50Ic, Vce = 1mA, 1V>100Ic, Vce = 150mA, 10V>100Ic, Vce = 150mA, 10V>100Ic, Vce = 150mA, 10V>100Ic, Vce = 150mA, 10V>35Ic, Vce = 100µA, 10V>75Ic, Vce = 10mA, 10V>100Ic, Vce = 150mA, 10V>100Ic, Vce = 150mA, 10V>100Ic, Vce = 150mA, 10V>100Ic, Vce = 150mA, 10V>100Ic, Vce = 150mA, 10V>100Ic, Vce = 150mA, 10V
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора
UCE-sat
<300 мВIb, Ic = 15mA, 150mA<300 мВIb, Ic = 15mA, 150mA<1 ВIb, Ic = 50mA, 500mA<1 ВIb, Ic = 50mA, 500mA(не задано)<1 ВIb, Ic = 50mA, 500mA<300 мВIb, Ic = 15mA, 150mA<300 мВIb, Ic = 15mA, 150mA<300 мВIb, Ic = 15mA, 150mA<300 мВIb, Ic = 15mA, 150mA<1 ВIb, Ic = 50mA, 500mA<1 ВIb, Ic = 50mA, 500mA<1 ВIb, Ic = 50mA, 500mA<300 мВIb, Ic = 15mA, 150mA<300 мВIb, Ic = 15mA, 150mA<300 мВIb, Ic = 15mA, 150mA<300 мВIb, Ic = 15mA, 150mA<300 мВIb, Ic = 15mA, 150mA<300 мВIb, Ic = 15mA, 150mA<400 мВIb, Ic = 15mA, 150mA<400 мВIb, Ic = 15mA, 150mA<400 мВIb, Ic = 15mA, 150mA<400 мВIb, Ic = 15mA, 150mA
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора
fh21
<270 МГц<300 МГц<300 МГц<300 МГц<300 МГц<300 МГц<300 МГц<300 МГц<300 МГц<300 МГц<300 МГц<300 МГц<300 МГц<300 МГц<300 МГц<300 МГц<300 МГц<300 МГц<300 МГц<250 МГц<250 МГц<250 МГц<250 МГц
Структура біполярного транзистора
Структура
NPN
Струм відсічення колектора
Ifrc
(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)<10 нА(не задано)(не задано)<100 нА(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)