На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | MJE200G | MJE200STU | MJE200TSTU | |
|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | TO-225-3, TO-225-3 | TO-225-3, TO-126-3 (Straight Leads) | TO-225-3, TO-126-3 (Straight Leads) |
Виробник | Виробник | ON Semiconductor | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Крізь отвір | ||
Постійний струм колектора транзистора | IC | <5 А | ||
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера | UCEO | <40 В | <25 В | <25 В |
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора | PC | <15 Вт | ||
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора | hFE | >45Ic, Vce = 2A, 1V | ||
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора | UCE-sat | <300 мВIb, Ic = 50mA, 500mA | <1.8 ВIb, Ic = 1A, 5A | <1.8 ВIb, Ic = 1A, 5A |
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора | fh21 | <65 МГц | ||
Структура біполярного транзистора | Структура | NPN | ||