MJE13003G

MJE13003, MJE13003G

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрMJE13003G
Корпус мікросхеми
Корпус
TO-225-3
Виробник
Виробник
ON Semiconductor
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Крізь отвір
Постійний струм колектора транзистора
IC
<1.5 А
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера
UCEO
<400 В
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора
PC
<40 Вт
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора
hFE
>8Ic, Vce = 500mA, 2V
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора
UCE-sat
<500 мВIb, Ic = 100mA, 500mA
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора
fh21
<4 МГц
Структура біполярного транзистора
Структура
NPN
Струм відсічення колектора
Ifrc
<1 мА