MJD44E3T4G

MJD44, MJD44E3T4, MJD44E3T4G, MJD44H11, MJD44H11-001, MJD44H11-1G, MJD44H11G, MJD44H11RL, MJD44H11RLG, MJD44H11T4, MJD44H11T4G, MJD44H11T5, MJD44H11T5G, MJD44H11TF, MJD44H11TM

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрMJD44E3T4MJD44E3T4GMJD44H11MJD44H11-001MJD44H11-1GMJD44H11GMJD44H11RLMJD44H11RLGMJD44H11T4MJD44H11T4GMJD44H11T5MJD44H11T5GMJD44H11TFMJD44H11TM
Корпус мікросхеми
Корпус
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63IPak, TO-251, DPak, VPak (3 straight leads + tab)IPak, TO-251, DPak, VPak (3 straight leads + tab)DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
Виробник
Виробник
ON SemiconductorON SemiconductorON SemiconductorON SemiconductorON SemiconductorON SemiconductorON SemiconductorON SemiconductorON SemiconductorON SemiconductorON SemiconductorON SemiconductorFairchild SemiconductorFairchild Semiconductor
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
ПоверхневийПоверхневийПоверхневийКрізь отвірКрізь отвірПоверхневийПоверхневийПоверхневийПоверхневийПоверхневийПоверхневийПоверхневийПоверхневийПоверхневий
Постійний струм колектора транзистора
IC
<10 А<10 А<8 А<8 А<8 А<8 А<8 А<8 А<8 А<8 А<8 А<8 А<8 А<8 А
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера
UCEO
<80 В
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора
PC
<20 Вт<20 Вт<20 Вт<20 Вт<20 Вт<20 Вт<20 Вт<20 Вт<20 Вт<20 Вт<20 Вт<20 Вт<1.75 Вт<1.75 Вт
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора
hFE
>1000Ic, Vce = 5A, 5V>1000Ic, Vce = 5A, 5V>60Ic, Vce = 2A, 1V>60Ic, Vce = 2A, 1V>60Ic, Vce = 2A, 1V>60Ic, Vce = 2A, 1V>60Ic, Vce = 2A, 1V>60Ic, Vce = 2A, 1V>60Ic, Vce = 2A, 1V>60Ic, Vce = 2A, 1V>60Ic, Vce = 2A, 1V>60Ic, Vce = 2A, 1V>40Ic, Vce = 4A, 1V>40Ic, Vce = 4A, 1V
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора
UCE-sat
<1.5 ВIb, Ic = 10mA, 5A<1.5 ВIb, Ic = 10mA, 5A<1 ВIb, Ic = 400mA, 8A<1 ВIb, Ic = 400mA, 8A<1 ВIb, Ic = 400mA, 8A<1 ВIb, Ic = 400mA, 8A<1 ВIb, Ic = 400mA, 8A<1 ВIb, Ic = 400mA, 8A<1 ВIb, Ic = 400mA, 8A<1 ВIb, Ic = 400mA, 8A<1 ВIb, Ic = 400mA, 8A<1 ВIb, Ic = 400mA, 8A<1 ВIb, Ic = 400mA, 8A<1 ВIb, Ic = 400mA, 8A
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора
fh21
(не задано)(не задано)<85 МГц<85 МГц<85 МГц<85 МГц<85 МГц<85 МГц<85 МГц<85 МГц<85 МГц<85 МГц<50 МГц<50 МГц
Структура біполярного транзистора
Структура
NPN DarlingtonNPN DarlingtonNPNNPNNPNNPNNPNNPNNPNNPNNPNNPNNPNNPN
Струм відсічення колектора
Ifrc
<10 мкА<10 мкА<1 мкА<1 мкА<1 мкА<1 мкА<1 мкА<1 мкА<1 мкА<1 мкА<1 мкА<1 мкА<10 мкА<10 мкА