MJD42C1

MJD42, MJD42C, MJD42C1, MJD42C1G, MJD42CG, MJD42CRL, MJD42CRLG, MJD42CT4, MJD42CT4G

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрMJD42CMJD42C1MJD42C1GMJD42CGMJD42CRLMJD42CRLGMJD42CT4MJD42CT4G
Корпус мікросхеми
Корпус
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63IPak, TO-251, DPak, VPak (3 straight leads + tab)IPak, TO-251, DPak, VPak (3 straight leads + tab)DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
Виробник
Виробник
ON Semiconductor
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
ПоверхневийКрізь отвірКрізь отвірПоверхневийПоверхневийПоверхневийПоверхневийПоверхневий
Постійний струм колектора транзистора
IC
<6 А
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера
UCEO
<100 В
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора
PC
<20 Вт
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора
hFE
>15Ic, Vce = 3A, 4V
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора
UCE-sat
<1.5 ВIb, Ic = 600mA, 6A
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора
fh21
<3 МГц
Структура біполярного транзистора
Структура
PNP
Струм відсічення колектора
Ifrc
<50 мкА