MJD41CRLG

MJD41, MJD41CRL, MJD41CRLG, MJD41CT4, MJD41CT4G, MJD41CTF

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрMJD41CRLMJD41CRLGMJD41CT4MJD41CT4GMJD41CTF
Корпус мікросхеми
Корпус
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
Виробник
Виробник
ON SemiconductorON SemiconductorON SemiconductorON SemiconductorFairchild Semiconductor
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Поверхневий
Постійний струм колектора транзистора
IC
<6 А
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера
UCEO
<100 В
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора
PC
<20 Вт<20 Вт<20 Вт<20 Вт<1.75 Вт
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора
hFE
>15Ic, Vce = 3A, 4V>30Ic, Vce = 300µA, 4V>15Ic, Vce = 3A, 4V>15Ic, Vce = 3A, 4V>15Ic, Vce = 3A, 4V
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора
UCE-sat
<1.5 ВIb, Ic = 600mA, 6A
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора
fh21
<3 МГц
Структура біполярного транзистора
Структура
NPN
Струм відсічення колектора
Ifrc
<50 мкА<50 мкА<50 мкА<50 мкА<10 мкА