На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | MJD350G | MJD350T4 | MJD350T4G | MJD350TF | |
|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 | |||
Виробник | Виробник | ON Semiconductor | STMicroelectronics | ON Semiconductor | Fairchild Semiconductor |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | |||
Постійний струм колектора транзистора | IC | <500 мА | |||
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера | UCEO | <300 В | |||
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора | PC | <15 Вт | <15 Вт | <15 Вт | <1.56 Вт |
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора | hFE | >30Ic, Vce = 50mA, 10V | |||
Структура біполярного транзистора | Структура | PNP | |||
Струм відсічення колектора | Ifrc | <100 мкА | |||