MJD32C

MJD32, MJD32C, MJD32CG, MJD32CRL, MJD32CRLG, MJD32CT4, MJD32CT4-A, MJD32CT4G, MJD32CTF, MJD32CTF_NBDD002, MJD32CTM, MJD32RLG, MJD32T4, MJD32T4G

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

Параметр		MJD32C	MJD32CG	MJD32CRL	MJD32CRLG	MJD32CT4	MJD32CT4-A	MJD32CT4G	MJD32CTF	MJD32CTF_NBDD002	MJD32CTM	MJD32RLG	MJD32T4	MJD32T4G
Корпус мікросхеми	Корпус	DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
Виробник	Виробник	STMicroelectronics	ON Semiconductor	ON Semiconductor	ON Semiconductor	STMicroelectronics	STMicroelectronics	ON Semiconductor	Fairchild Semiconductor	Fairchild Semiconductor	Fairchild Semiconductor	ON Semiconductor	ON Semiconductor	ON Semiconductor
Тип монтажу компонента на плату чи в схему	Монтаж	Поверхневий
Постійний струм колектора транзистора	I_C	<3 А
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера	U_CEO	<100 В	<100 В	<100 В	<100 В	<100 В	<100 В	<100 В	<100 В	<100 В	<100 В	<40 В	<40 В	<40 В
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора	P_C	<15 Вт	<15 Вт	<15 Вт	<15 Вт	<15 Вт	<15 Вт	<15 Вт	<1.56 Вт	<1.56 Вт	<1.56 Вт	<15 Вт	<15 Вт	<15 Вт
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора	hFE	>10Ic, Vce = 3A, 4V
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора	U_CE-sat	<1.2 ВIb, Ic = 375mA, 3A
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора	f_h21	(не задано)	<3 МГц	<3 МГц	<3 МГц	<3 МГц	(не задано)	<3 МГц	<3 МГц	<3 МГц	<3 МГц	<3 МГц	<3 МГц	<3 МГц
Структура біполярного транзистора	Структура	PNP
Струм відсічення колектора	I_frc	<50 мкА