MJD31C

MJD31, MJD31C, MJD31C1, MJD31C1G, MJD31CG, MJD31CITU, MJD31CRL, MJD31CRLG, MJD31CT4, MJD31CT4-A, MJD31CT4G, MJD31CTF, MJD31CTF_NBDD001, MJD31CTF_SBDD001A, MJD31T4, MJD31T4G

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

Параметр		MJD31C	MJD31C1	MJD31C1G	MJD31CG	MJD31CITU	MJD31CRL	MJD31CRLG	MJD31CT4	MJD31CT4-A	MJD31CT4G	MJD31CTF	MJD31CTF_NBDD001	MJD31CTF_SBDD001A	MJD31T4	MJD31T4G
Корпус мікросхеми	Корпус	DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63	IPak, TO-251, DPak, VPak (3 straight leads + tab)	IPak, TO-251, DPak, VPak (3 straight leads + tab)	DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63	IPak, TO-251, DPak, VPak (3 straight leads + tab)	DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63	DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63	DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63	DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63	DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63	DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63	DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63	DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63	DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63	DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
Виробник	Виробник	STMicroelectronics	ON Semiconductor	ON Semiconductor	ON Semiconductor	Fairchild Semiconductor	ON Semiconductor	ON Semiconductor	STMicroelectronics	STMicroelectronics	ON Semiconductor	Fairchild Semiconductor	Fairchild Semiconductor	Fairchild Semiconductor	ON Semiconductor	ON Semiconductor
Тип монтажу компонента на плату чи в схему	Монтаж	Поверхневий	Крізь отвір	Крізь отвір	Поверхневий	Крізь отвір	Поверхневий	Поверхневий	Поверхневий	Поверхневий	Поверхневий	Поверхневий	Поверхневий	Поверхневий	Поверхневий	Поверхневий
Постійний струм колектора транзистора	I_C	<3 А
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера	U_CEO	<100 В	<100 В	<100 В	<100 В	<100 В	<100 В	<100 В	<100 В	<100 В	<100 В	<100 В	<100 В	<100 В	<40 В	<40 В
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора	P_C	<15 Вт	<15 Вт	<15 Вт	<15 Вт	<1.56 Вт	<15 Вт	<15 Вт	<15 Вт	<15 Вт	<15 Вт	<1.56 Вт	<1.56 Вт	<1.56 Вт	<15 Вт	<15 Вт
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора	hFE	>10Ic, Vce = 3A, 4V	>10Ic, Vce = 3A, 4V	>10Ic, Vce = 3A, 4V	>10Ic, Vce = 3A, 4V	>10Ic, Vce = 3A, 4V	>10Ic, Vce = 3A, 4V	>25Ic, Vce = 1A, 4V	>10Ic, Vce = 3A, 4V	>10Ic, Vce = 3A, 4V	>10Ic, Vce = 3A, 4V	>10Ic, Vce = 3A, 4V	>10Ic, Vce = 3A, 4V	>10Ic, Vce = 3A, 4V	>10Ic, Vce = 3A, 4V	>10Ic, Vce = 3A, 4V
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора	U_CE-sat	<1.2 ВIb, Ic = 375mA, 3A
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора	f_h21	(не задано)	<3 МГц	<3 МГц	<3 МГц	<3 МГц	<3 МГц	<3 МГц	<3 МГц	(не задано)	<3 МГц	<3 МГц	<3 МГц	<3 МГц	<3 МГц	<3 МГц
Структура біполярного транзистора	Структура	NPN
Струм відсічення колектора	I_frc	<50 мкА	<50 мкА	<50 мкА	<50 мкА	<20 мкА	<50 мкА	<50 мкА	<50 мкА	<50 мкА	<50 мкА	<20 мкА	<50 мкА	<50 мкА	<50 мкА	<50 мкА