MJD2955

MJD2955, MJD2955-001, MJD2955-1G, MJD2955G, MJD2955T4, MJD2955T4G, MJD2955TF

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрMJD2955-001MJD2955-1GMJD2955GMJD2955T4MJD2955T4GMJD2955TF
Корпус мікросхеми
Корпус
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63, IPak, TO-251, DPak, VPak (3 straight leads + tab)DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63, IPak, TO-251, DPak, VPak (3 straight leads + tab)DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63, DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63, DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63, DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63, DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
Виробник
Виробник
ON SemiconductorON SemiconductorON SemiconductorON SemiconductorON SemiconductorFairchild Semiconductor
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Крізь отвірКрізь отвірПоверхневийПоверхневийПоверхневийПоверхневий
Постійний струм колектора транзистора
IC
<10 А
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера
UCEO
<60 В
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора
PC
<20 Вт<20 Вт<20 Вт<20 Вт<20 Вт<1.75 Вт
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора
hFE
>20Ic, Vce = 4A, 4V
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора
UCE-sat
<1.1 ВIb, Ic = 400mA, 4A
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора
fh21
<2 МГц
Структура біполярного транзистора
Структура
PNPPNPPNPNPNPNPPNP
Струм відсічення колектора
Ifrc
<50 мкА