На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | MJD253-001 | MJD253-1G | MJD253T4 | MJD253T4G | |
|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | IPak, TO-251, DPak, VPak (3 straight leads + tab) | IPak, TO-251, DPak, VPak (3 straight leads + tab) | DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 | DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 |
Виробник | Виробник | ON Semiconductor | |||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Крізь отвір | Крізь отвір | Поверхневий | Поверхневий |
Постійний струм колектора транзистора | IC | <4 А | |||
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера | UCEO | <100 В | |||
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора | PC | <12.5 Вт | |||
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора | hFE | >40Ic, Vce = 200mA, 1V | |||
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора | UCE-sat | <300 мВIb, Ic = 50mA, 500mA | |||
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора | fh21 | <40 МГц | |||
Структура біполярного транзистора | Структура | PNP | |||