На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | MJD200G | MJD200RL | MJD200RLG | MJD200T4 | MJD200T4G | MJD200T5G | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 | |||||
Виробник | Виробник | ON Semiconductor | |||||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | |||||
Постійний струм колектора транзистора | IC | <5 А | |||||
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера | UCEO | <25 В | |||||
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора | PC | <12.5 Вт | <12.5 Вт | <12.5 Вт | <12.5 Вт | <12.5 Вт | <1.4 Вт |
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора | hFE | >45Ic, Vce = 2A, 1V | >45Ic, Vce = 2A, 1V | >70Ic, Vce = 500mA, 1V | >45Ic, Vce = 2A, 1V | >45Ic, Vce = 2A, 1V | >45Ic, Vce = 2A, 1V |
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора | UCE-sat | <300 мВIb, Ic = 50mA, 500mA | <300 мВIb, Ic = 50mA, 500mA | <1.8 ВIb, Ic = 1A, 5A | <300 мВIb, Ic = 50mA, 500mA | <300 мВIb, Ic = 50mA, 500mA | <750 мВIb, Ic = 200mA, 2A |
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора | fh21 | <65 МГц | |||||
Структура біполярного транзистора | Структура | NPN | |||||