На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | MJD128T4 | MJD128T4G | |
|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 | |
Виробник | Виробник | ON Semiconductor | |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | |
Постійний струм колектора транзистора | IC | <8 А | |
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера | UCEO | <120 В | |
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора | PC | <20 Вт | |
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора | hFE | >1000Ic, Vce = 4A, 4V | |
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора | UCE-sat | <2 ВIb, Ic = 16mA, 4A | |
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора | fh21 | <4 МГц | |
Структура біполярного транзистора | Структура | PNP Darlington | |
Струм відсічення колектора | Ifrc | <10 мкА | <5 мА |