На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | MJD122G | MJD122T4 | MJD122T4G | MJD122TF | |
|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 | |||
Виробник | Виробник | ON Semiconductor | STMicroelectronics | ON Semiconductor | Fairchild Semiconductor |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | |||
Постійний струм колектора транзистора | IC | <8 А | <5 А | <8 А | <8 А |
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера | UCEO | <100 В | |||
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора | PC | <20 Вт | <20 Вт | <20 Вт | <1.75 Вт |
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора | hFE | >1000Ic, Vce = 4A, 4V | |||
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора | UCE-sat | <2 ВIb, Ic = 16mA, 4A | <2 ВIb, Ic = 16mA, 4A | <2 ВIb, Ic = 15mA, 4A | <2 ВIb, Ic = 16mA, 4A |
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора | fh21 | <4 МГц | |||
Структура біполярного транзистора | Структура | NPN Darlington | |||
Струм відсічення колектора | Ifrc | <10 мкА | |||