MJD117-1G

MJD117, MJD117-001, MJD117-1G, MJD117G, MJD117RLG, MJD117T4, MJD117T4G, MJD117TF

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрMJD117-001MJD117-1GMJD117GMJD117RLGMJD117T4MJD117T4GMJD117TF
Корпус мікросхеми
Корпус
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63, IPak, TO-251, DPak, VPak (3 straight leads + tab)DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63, IPak, TO-251, DPak, VPak (3 straight leads + tab)DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63, DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63, DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63, DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63, DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63, DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
Виробник
Виробник
ON SemiconductorON SemiconductorON SemiconductorON SemiconductorSTMicroelectronicsON SemiconductorFairchild Semiconductor
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Крізь отвірКрізь отвірПоверхневийПоверхневийПоверхневийПоверхневийПоверхневий
Постійний струм колектора транзистора
IC
<2 А
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера
UCEO
<100 В
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора
PC
<20 Вт<20 Вт<20 Вт<20 Вт<20 Вт<20 Вт<1.75 Вт
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора
hFE
>1000Ic, Vce = 2A, 3V
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора
UCE-sat
<2 ВIb, Ic = 8mA, 2A<2 ВIb, Ic = 8mA, 2A<2 ВIb, Ic = 8mA, 2A<2 ВIb, Ic = 8mA, 2A<2 ВIb, Ic = 8A, 2A<2 ВIb, Ic = 8mA, 2A<3 ВIb, Ic = 40mA, 4A
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора
fh21
<25 МГц
Структура біполярного транзистора
Структура
PNP Darlington
Струм відсічення колектора
Ifrc
<20 мкА