MJ21196G

MJ21196, MJ21196G

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрMJ21196G
Корпус мікросхеми
Корпус
TO-204, TO-3
Виробник
Виробник
ON Semiconductor
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
На шасі/провід
Постійний струм колектора транзистора
IC
<16 А
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера
UCEO
<250 В
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора
PC
<250 Вт
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора
hFE
>25Ic, Vce = 8A, 5V
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора
UCE-sat
<1.4 ВIb, Ic = 800mA, 8A
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора
fh21
<4 МГц
Структура біполярного транзистора
Структура
NPN
Струм відсічення колектора
Ifrc
<100 мкА