MJ11028

MJ11028, MJ11028G

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрMJ11028G
Корпус мікросхеми
Корпус
TO-204, TO-3
Виробник
Виробник
ON Semiconductor
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
На шасі/провід
Постійний струм колектора транзистора
IC
<50 А
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера
UCEO
<60 В
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора
PC
<300 Вт
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора
hFE
>1000Ic, Vce = 25A, 5V
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора
UCE-sat
<2.5 ВIb, Ic = 250mA, 25A
Структура біполярного транзистора
Структура
NPN Darlington
Струм відсічення колектора
Ifrc
<2 мА