На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | KSD261CGBU | KSD261CGTA | KSD261CYBU | KSD261CYTA | KSD261GBU | KSD261GTA | KSD261YBU | KSD261YTA | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | |||||||
Виробник | Виробник | Fairchild Semiconductor | |||||||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Крізь отвір | |||||||
Постійний струм колектора транзистора | IC | <500 мА | |||||||
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера | UCEO | <20 В | |||||||
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора | PC | <500 мВт | |||||||
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора | hFE | >200Ic, Vce = 100mA, 1V | >200Ic, Vce = 100mA, 1V | >120Ic, Vce = 100mA, 1V | >120Ic, Vce = 100mA, 1V | >200Ic, Vce = 100mA, 1V | >200Ic, Vce = 100mA, 1V | >120Ic, Vce = 100mA, 1V | >120Ic, Vce = 100mA, 1V |
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора | UCE-sat | <400 мВIb, Ic = 50mA, 500mA | |||||||
Структура біполярного транзистора | Структура | NPN | |||||||