На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | KSD227GBU | KSD227GTA | KSD227YBU | KSD227YTA | |
|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | |||
Виробник | Виробник | Fairchild Semiconductor | |||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Крізь отвір | |||
Постійний струм колектора транзистора | IC | <300 мА | |||
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера | UCEO | <25 В | |||
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора | PC | <400 мВт | |||
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора | hFE | >200Ic, Vce = 50mA, 1V | >200Ic, Vce = 50mA, 1V | >120Ic, Vce = 50mA, 1V | >120Ic, Vce = 50mA, 1V |
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора | UCE-sat | <400 мВIb, Ic = 30mA, 300mA | |||
Структура біполярного транзистора | Структура | NPN | |||