На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | KSD1616AGBU | KSD1616AGTA | KSD1616ALBU | KSD1616ALTA | KSD1616AYBU | KSD1616AYTA | KSD1616GBU | KSD1616GTA | KSD1616LBU | KSD1616LPWD | KSD1616YBU | KSD1616YTA | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | |||||||||||
Виробник | Виробник | Fairchild Semiconductor | |||||||||||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Крізь отвір | |||||||||||
Постійний струм колектора транзистора | IC | <1 А | |||||||||||
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера | UCEO | <60 В | <60 В | <60 В | <60 В | <60 В | <60 В | <50 В | <50 В | <50 В | <50 В | <50 В | <50 В |
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора | PC | <750 мВт | |||||||||||
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора | hFE | >200Ic, Vce = 100mA, 2V | >200Ic, Vce = 100mA, 2V | >300Ic, Vce = 100mA, 2V | >300Ic, Vce = 100mA, 2V | >135Ic, Vce = 100mA, 2V | >135Ic, Vce = 100mA, 2V | >200Ic, Vce = 100mA, 2V | >200Ic, Vce = 100mA, 2V | >300Ic, Vce = 100mA, 2V | >300Ic, Vce = 100mA, 2V | >135Ic, Vce = 100mA, 2V | >135Ic, Vce = 100mA, 2V |
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора | UCE-sat | <300 мВIb, Ic = 50mA, 1A | |||||||||||
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора | fh21 | <160 МГц | |||||||||||
Структура біполярного транзистора | Структура | NPN | |||||||||||