KSC1008COBU

KSC1008, KSC1008COBU, KSC1008COTA, KSC1008CYBU, KSC1008CYTA, KSC1008GBU, KSC1008GTA, KSC1008OBU, KSC1008OTA, KSC1008RBU, KSC1008RTA, KSC1008YBU, KSC1008YTA, KSC1008YTF

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрKSC1008COBUKSC1008COTAKSC1008CYBUKSC1008CYTAKSC1008GBUKSC1008GTAKSC1008OBUKSC1008OTAKSC1008RBUKSC1008RTAKSC1008YBUKSC1008YTAKSC1008YTF
Корпус мікросхеми
Корпус
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Виробник
Виробник
Fairchild Semiconductor
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Крізь отвір
Постійний струм колектора транзистора
IC
<700 мА
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера
UCEO
<60 В
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора
PC
<800 мВт
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора
hFE
>70Ic, Vce = 50mA, 2V>70Ic, Vce = 50mA, 2V>120Ic, Vce = 50mA, 2V>120Ic, Vce = 50mA, 2V>200Ic, Vce = 50mA, 2V>200Ic, Vce = 50mA, 2V>70Ic, Vce = 50mA, 2V>70Ic, Vce = 50mA, 2V>40Ic, Vce = 50mA, 2V>40Ic, Vce = 50mA, 2V>120Ic, Vce = 50mA, 2V>120Ic, Vce = 50mA, 2V>120Ic, Vce = 50mA, 2V
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора
UCE-sat
<400 мВIb, Ic = 50mA, 500mA
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора
fh21
<50 МГц
Структура біполярного транзистора
Структура
NPN