На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | KSB811GBU | KSB811GTA | KSB811OBU | KSB811OTA | KSB811YBU | KSB811YTA | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | TO-92-3 (Short Body) | |||||
Виробник | Виробник | Fairchild Semiconductor | |||||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Крізь отвір | |||||
Постійний струм колектора транзистора | IC | <1 А | |||||
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера | UCEO | <25 В | |||||
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора | PC | <350 мВт | |||||
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора | hFE | >200Ic, Vce = 100mA, 1V | >200Ic, Vce = 100mA, 1V | >70Ic, Vce = 100mA, 1V | >70Ic, Vce = 100mA, 1V | >120Ic, Vce = 100mA, 1V | >120Ic, Vce = 100mA, 1V |
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора | UCE-sat | <500 мВIb, Ic = 100mA, 1A | |||||
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора | fh21 | <110 МГц | |||||
Структура біполярного транзистора | Структура | PNP | |||||