KSB1116AGTA

KSB1116, KSB1116AGBU, KSB1116AGTA, KSB1116ALBU, KSB1116ALTA, KSB1116AYBU, KSB1116AYTA, KSB1116GBU, KSB1116GTA, KSB1116LBU, KSB1116LTA, KSB1116SYBU, KSB1116SYTA, KSB1116YBU, KSB1116YTA

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрKSB1116AGBUKSB1116AGTAKSB1116ALBUKSB1116ALTAKSB1116AYBUKSB1116AYTAKSB1116GBUKSB1116GTAKSB1116LBUKSB1116LTAKSB1116SYBUKSB1116SYTAKSB1116YBUKSB1116YTA
Корпус мікросхеми
Корпус
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Виробник
Виробник
Fairchild Semiconductor
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Крізь отвір
Постійний струм колектора транзистора
IC
<1 А
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера
UCEO
<60 В<60 В<60 В<60 В<60 В<60 В<50 В<50 В<50 В<50 В<50 В<50 В<50 В<50 В
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора
PC
<750 мВт
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора
hFE
>200Ic, Vce = 100mA, 2V>200Ic, Vce = 100mA, 2V>300Ic, Vce = 100mA, 2V>300Ic, Vce = 100mA, 2V>135Ic, Vce = 100mA, 2V>135Ic, Vce = 100mA, 2V>200Ic, Vce = 100mA, 2V>200Ic, Vce = 100mA, 2V>300Ic, Vce = 100mA, 2V>300Ic, Vce = 100mA, 2V>135Ic, Vce = 100mA, 2V>135Ic, Vce = 100mA, 2V>135Ic, Vce = 100mA, 2V>135Ic, Vce = 100mA, 2V
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора
UCE-sat
<300 мВIb, Ic = 50mA, 1A
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора
fh21
<120 МГц
Структура біполярного транзистора
Структура
PNP