На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | KSA812GAMTF | KSA812GMTF | KSA812LMTF | KSA812OMTF | KSA812YMTF | |
|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | ||||
Виробник | Виробник | Fairchild Semiconductor | ||||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | ||||
Постійний струм колектора транзистора | IC | <100 мА | ||||
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера | UCEO | <50 В | ||||
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора | PC | <150 мВт | ||||
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора | hFE | >200Ic, Vce = 1mA, 6V | >200Ic, Vce = 1mA, 6V | >300Ic, Vce = 1mA, 6V | >90Ic, Vce = 1mA, 6V | >135Ic, Vce = 1mA, 6V |
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора | UCE-sat | <300 мВIb, Ic = 10mA, 100mA | ||||
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора | fh21 | <180 МГц | ||||
Структура біполярного транзистора | Структура | PNP | ||||