На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | IMBT3905DI | |
|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 |
Виробник | Виробник | Diodes Inc |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий |
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера | UCEO | <40 В |
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора | PC | <350 мВт |
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора | hFE | >50Ic, Vce = 10mA, 1V |
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора | UCE-sat | <400 мВIb, Ic = 5mA, 50mA |
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора | fh21 | <200 МГц |
Структура біполярного транзистора | Структура | PNP |