FMMT5551TA

FMMT5551, FMMT5551TA

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрFMMT5551TA
Корпус мікросхеми
Корпус
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
Виробник
Виробник
Diodes/Zetex
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Поверхневий
Постійний струм колектора транзистора
IC
<600 мА
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера
UCEO
<160 В
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора
PC
<330 мВт
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора
hFE
>80Ic, Vce = 10mA, 5V
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора
UCE-sat
<200 мВIb, Ic = 5mA, 50mA
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора
fh21
<300 МГц
Структура біполярного транзистора
Структура
NPN