На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | FJZ945GTF | FJZ945LTF | FJZ945OTF | FJZ945YTF | |
|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | SOT-623F | |||
Виробник | Виробник | Fairchild Semiconductor | |||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | |||
Постійний струм колектора транзистора | IC | <150 мА | |||
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера | UCEO | <50 В | |||
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора | PC | <100 мВт | |||
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора | hFE | >200Ic, Vce = 1mA, 6V | >350Ic, Vce = 1mA, 6V | >70Ic, Vce = 1mA, 6V | >120Ic, Vce = 1mA, 6V |
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора | UCE-sat | <300 мВIb, Ic = 10mA, 100mA | |||
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора | fh21 | <300 МГц | |||
Структура біполярного транзистора | Структура | NPN | |||