На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | FJB102TM | |
|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) |
Виробник | Виробник | Fairchild Semiconductor |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий |
Постійний струм колектора транзистора | IC | <8 А |
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера | UCEO | <100 В |
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора | PC | <80 Вт |
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора | hFE | >1000Ic, Vce = 3A, 4V |
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора | UCE-sat | <2 ВIb, Ic = 6mA, 3A |
Структура біполярного транзистора | Структура | NPN Darlington |
Струм відсічення колектора | Ifrc | <50 мкА |