ESM3045DV

ESM3045, ESM3045DV

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрESM3045DV
Корпус мікросхеми
Корпус
ISOTOP
Виробник
Виробник
STMicroelectronics
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
На шасі/провід
Постійний струм колектора транзистора
IC
<24 А
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера
UCEO
<450 В
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора
PC
<125 Вт
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора
hFE
>120Ic, Vce = 20A, 5V
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора
UCE-sat
<2 ВIb, Ic = 300mA, 15A
Структура біполярного транзистора
Структура
NPN Darlington